CCTO相关论文
CaCu3Ti4O12（简称CCTO）基介电陶瓷凭借高介电常数和高热稳定性等优异性能在电子元器件小型化和储能方面具有巨大应用潜力，并成为电介......
TiO6氧八面体结构是钛酸铜钙（CaCu3Ti4O12，CCTO）的基本骨架，直接关系着CCTO光学和电学性能的表现，其在各种频率下介电、光学性能的响应......
电子器件的集成化、小型化要求电容器具有高的储能密度和良好的加工性,从而对电介质材料的介电常数、介电损耗和加工性能提出了更......
近年来随着电子器件向着微型化的方向发展,高介电常数材料受到越来越多的关注。由于具有巨介电常数且在较宽的温度范围内相对稳定,......
钛酸铜钙CaCu3Ti4O12（CCTO）是一种性能优异的介电材料,在具有可观的介电常数的同时,其在100K到400K的温度范围内能保持良好的性质稳......
CaCu3Ti4O12（CCTO）陶瓷具有巨介电常数,随着电子产品小型化的发展趋势,迫切需要高介电常数材料,这使得CCTO巨介电常数材料在小型电子......
本论文主要采用固体粉末高温烧结法研究了CaCu3Ti4O12陶瓷（CCTO）合成与烧结的过程以及烧结对介电性能的影响;还研究了Na+、La3+、K+......
学位
A Short Review on Copper Calcium Titanate (CCTO) Electroceramic:Synthesis, Dielectric Properties, Fi
Electroceramic calcium copper titanates (CaCu3Ti4O12, CCTO), with high dielectric permittivities (ε) of approximately 1......
聚合物纳米电介质材料由于其出色的机械加工特性、电可调制特性已成为当今高密度封装技术等诸多学科的前沿领域。通过在聚合基体中......
文章研究了巨介电常数材料CaCu3Ti4O12(CCTO)在宽温区(－120℃～300℃)及宽频域(1 Hz～10 MHz)的交流电导及介电性能。在低温区和高温区，C......
利用溶胶凝胶法制备了CaCu3 Ti4 O12 (CCTO),相对介电常数高达123000.通过对不同温度烧结的样品断口进行能谱分析,发现晶界有明显......
通过溶胶凝胶一自蔓延法制备微米CCTO陶瓷填料，并以LDpE为基体，并采用熔融共混一热压成型工艺制备LDPE-CCTO复合介质，利用介电频谱测......
采用溶胶-凝胶法制备了具有非欧姆电性能的巨介电陶瓷CaCu3Ti4O12(CCTO)。用X射线衍射和扫描电镜对陶瓷的晶体结构和显微结构进行......
对CaCu3Ti4O12陶瓷的制备及性能进行了研究,X射线衍射分析结果表明：将混和、研磨好的粉料在900℃和950℃预烧后获得了CaCu3Ti4O12单......
采用热压法制备了CaCu3Ti4O12（CCTO）-电木复合材料,加入CCTO不但明显提高了电木的介电常数,而且显著地降低了其介电损耗。随CCTO含量......
通过固相反应合成了ABO_3型钙钛矿结构CaCu_3Ti_4O_（12）（CCTO）巨介电常数陶瓷材料.采用X射线衍射、扫描电镜和Agilent4294A精密阻抗分......
将CCTO（CaCu3Ti4O12）与NiCuZn铁氧体进行复合，系统地研究了组分变化对这种新型磁电复合材料的烧结性能、晶相结构、显微结构和磁电性......
本文采用固相反应法制备(Fe1/2Nb1/2)4+掺杂的ACu3Ti4O12材料,研究高浓度掺杂对ACu3Ti4O12材料的微观结构、介电特性和电学特性的......
采用原位聚合法将石墨和CaCu3Ti4O12(CCTO)与双马来酰亚胺树脂(BMI)、二烯丙基双酚A(BA)复合制备石墨/BMI/BA和CCTO/BA/BMI高介电......
为了降低CaCu3Ti4O12（CCTO）陶瓷材料的介质损耗,采用传统固相反应法制备了组分为CaCu3–yZry/2Ti4O12（CCZTO）的陶瓷样品。研究了ZrO2掺......
以溶胶-凝胶法在S(i100)基底上制备了Ca1-3x/2BixCu3Ti4O12(CBCTO)薄膜。XRD结果表明,于900℃退火1h可形成多晶CaCu3Ti4O12(CCTO)......
采用固相反应法在10551095℃制备了CaCu3Ti4O12电介质陶瓷材料（以下简称CCTO）,并研究了不同烧结温度下CCTO陶瓷介电性能的变化,优化......
多层陶瓷电容器（Multilayer Ceramic Capacitor，简称MLCC）作为电容器中最基础、最重要的一类元件被广泛的应用于电子信息产业的各个领......
采用固相反应法制备了不同化学计量比的CaCu3Ti4O12（简称CCTO）陶瓷。当Ca、Cu、Ti的原子摩尔比为1.08∶3.00∶4.44时,获得了相对介电......
首先采用固相法合成CaCu3Ti4O12(CCTO)粉体,与SiC粉体均匀混合后,采用真空热压制备了SiC/CCTO复合陶瓷电容器。采用DSC-TG技术分析......
从2000年之后,一种新型高介电的钛酸铜钙(CaCu3Ti4O12,CCTO)材料受到了国内外学者的广泛关注。这种材料的介电常数不仅高达104,而......
采用溶胶-凝胶法制备CaCu3Ti4O12(CCTO)前驱粉体,然后与聚偏氟乙烯(PVDF)进行复合,制备了CCTO/PVDF复合材料。研究了在不同煅烧温......
随着电子产品迅猛发展，需要一种可以存储更多电子能量的材料，聚偏氟乙烯（PVDF）有着高介电常数、低介电损耗和良好的击穿性能，有望满足这......
CaCu3Ti4O12（CCTO）不仅具有很高的介电常数,并且在很宽的温区范围内（100400K）介电常数值几乎不变,非线性电流-电压（I-V）特性十分显著。因......
CaCu3Ti4O12（CCTO）陶瓷在较宽的温度和频率范围内具有较稳定的巨介电效应，同时还表现出电流-电压非线性特性，对其性能的深入研究有助于......
随着电子工业的飞速发展，电子器件小型化、高速化成为一种主导发展趋势。采用高介电材料制备的器件尺寸仅为传统振荡器和介质相的1／......
CaCu3Ti4O12（CCTO）介电陶瓷材料以其高介电常数、高热稳定性和强烈的非线性等优异性能，在科学研究和实际应用中成为当前介电材料领域......
